Онзи ден вицепрезидентът на дивизията Samsung от договорното производство на чипове Jeon Gi-tae в интервю за изданието The Elec докладвано, че в бъдещия технологичен процес SF1.4 (клас 1,4 nm), броят на каналите в транзисторите ще бъде увеличен от три на четири, което ще донесе осезаеми предимства по отношение на производителността и консумацията на енергия. Това ще се случи три години след пускането на подобни транзистори на Intel, които ще форсират Samsung настигне конкурента.
Търговско дружество Samsung е първият, който произвежда транзистори с гейт, който напълно обгражда каналите в транзисторите (SF3E). Това се случи преди повече от година и се използва доста избирателно. Например, този вид 3 nm процес се използва за производство на чипове за копачи на криптовалута. Каналите в транзисторите в новия технологичен процес са тънки нанолистове, разположени един над друг. В транзисторите Samsung три такива канала, които са заобиколени от порта от четирите страни и поради това токът протича през тях под прецизен контрол с минимални утечки.
Intel, напротив, ще започне да произвежда първите си транзистори с нанолистови канали през 2024 г., използвайки 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) технологичен процес. От самото начало те ще имат по четири нанолистови канала във всеки. Това означава, че GateGAA транзисторите на Intel ще бъдат по-ефективни от подобни транзистори Samsung, ще може да пропуска по-висок ток и ще бъде по-енергийно ефективен от транзисторите на южнокорейския конкурент. Ще продължи около три години до Samsung няма да започнат да произвеждат чипове по техническия процес SF1.4, което се очаква през 2027 г. Както вече стана известно, те също ще станат "четирилистни" - ще получат по четири канала вместо днешните три.
Дали ще е друг въпрос Samsung всъщност изостават от Intel по отношение на технологичността? Дотогава южнокорейската компания ще има пет години опит в масовото производство на GAA транзистори, докато Intel ще остане новак. И с производството на такива транзистори едва ли всичко е просто, т.к Samsung използва този технически процес много, много избирателно. Във всеки случай преходът към нова архитектура на транзистори ще бъде значителен пробив за полупроводниковата индустрия и ще направи възможно преместването на бариерата, отвъд която традиционното производство на полупроводници вече няма да бъде на върха на напредъка за още няколко години .
Прочетете също:
- Преглед Samsung Galaxy Fold5: актуализиран, водещ, сгъваем
- Преглед на процесорите Intel Core 14-то поколение: какво са интересни и за кого са полезни?