Samsung УМНИ УСТРОЙСТВА представи най-вместимите в индустрията 12nm DDR5 DRAM 32Gb чипове с памет, за които се казва, че са идеално подходящи за ерата на изкуствения интелект. Преди това компанията можеше да произвежда 32 Gbit чипове само с TSV-монтирани 16 Gbit кристали един върху друг. Пускането на "едно парче" 32 Gb DDR5 чипове в същия пакет с 16 Gb чипове ще намали потреблението и ще отвори пътя към обещаващи 1 TB модули памет.
Според оценките Samsung, DDR5 чипове с двойно по-голям капацитет ще осигурят 10% по-ниска консумация от 128 GB DDR5 модули. Интересно е, че компанията обяви началото на производството на 12 nm 16 Gbit DDR5 DRAM съвсем наскоро - през май тази година. Настоящото съобщение не означава незабавно пускане в масово производство на 32 Gbit чипове. Компанията обещава да започне производството им едва в края на тази година. Увеличаването на капацитета на серийно доставяните чипове до 32 Gbit ще позволи на производителите на памет да преминат към пускането на масови DDR5 модули с обем 64 GB и сървърни модели с обем до 1 TB.
„Със създаването на 12nm 32Gb DRAM от клас ние предоставихме решение, което ще позволи производството на DRAM модули до 1TB, което ни дава перфектната възможност да отговорим на нарастващото търсене на DRAM с голям капацитет в ерата на изкуствения интелект и големите данни", каза Сун. Jun Hwang, изпълнителен вицепрезидент на отдела за DRAM продукти и технологии на компанията Samsung електроника. „Ще продължим да разработваме DRAM решения, базирани на диференцирани производствени процеси и дизайнерски технологии, за да разширим границите на технологиите за памет.“
В момента производители на памет като SK hynix и Micron предлагат само 24Gb DDR5 чипове, което позволява масови модули до 96GB, но Samsung повишава капацитета с едно ниво, предлагайки трето по-плътно решение. Въпреки това Micron също потвърди работа по 5Gb DDR32 чипове в своята пътна карта, въпреки че те все още не са официално обявени.
За неговата история Samsung разшири границите на RAM с 500 64 пъти. Компанията представя първата си (1983 Kbit) памет през 40 г. През последните XNUMX години той увеличи капацитета на микросхемите с невероятен брой пъти, за което по това време малко хора дори можеха да си помислят.
Прочетете също:
- SK hynix разработи най-бързата памет в света – HBM3E със скорост от 1,15 TB/s
- Huawei изгражда тайна мрежа от фабрики за чипове под санкции