Samsung УМНИ УСТРОЙСТВА възнамерява да пусне 1 TB DDR5 памет в един модул благодарение на пробив в производството на DRAM.
Южнокорейска компания развити първата в индустрията на паметта 32-gigabit (GB) DDR5 RAM с най-висок капацитет, използвайки 12nm процес. Благодарение на това Samsung ще може да произвежда 5TB DDR1 модули памет, но има и друго предимство от преминаването към 32GB DRAM. В сравнение със съществуващите 5GB DDR16 DRAM модули, произведени по 12nm процес, консумацията на енергия на 128GB модулите ще бъде намалена с 10%.
Според Sang-Joon Hwan, вицепрезидент на DRAM продукти и технологии в Samsung Електроника, първоначално основните потребители на тази памет ще бъдат центрове за данни, изкуствен интелект и големи данни: „Благодарение на нашите 32 гигабайта DRAM памет от клас 12 nm, получихме решение, което ще ни позволи да създаваме DRAM модули с обем до 1 TB, което ще ни позволи да бъдем идеално позиционирани да посрещнем нарастващата нужда от RAM с голям капацитет в ерата на AI (изкуствен интелект) и големи данни... Ще продължим да разработваме DRAM решения, използвайки диференцирани производствени процеси и проектиране на технологии за разширяване на границите на технологията на паметта.“
Повече памет в по-малко пространство с по-малко консумация на енергия винаги ще бъде популярно сред операторите на центрове за данни. Въпреки това, тази технология на паметта трябва в крайна сметка да мигрира към DDR5 модулите, използвани в нашите настолни компютри и лаптопи. В момента комплектите памет от 192 GB, състоящи се от четири модула, изглеждат най-високото ниво за потребителите.
Прочетете също: